バイポーラトランジスタの動作理論 - 倉田衛

バイポーラトランジスタの動作理論

Add: segacy6 - Date: 2020-12-04 19:52:47 - Views: 2464 - Clicks: 5080

スポンサード リンク バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 スポンサード リンク 【要約】 【目的】 エミッタ−ベース間の耐圧低下がなく、エミッタ−ベース間の接合リークの発生及びエミッタ−コレクタ間の接合リークの発生がなく、ベース抵抗の増加がない、歩留まりの良い、製造. 7 図書 バイポーラトランジスタの動作理論. 9 著者名: 倉田, 衛(1936-) シリーズ名: 超lsi入門シリーズ ; 1 isbn:注記: 参考文献:p. 9: Numerical analysis for semiconductor devices. バイポーラトランジスタの動作理論: 著者: 倉田衛 著: 著者標目: 倉田, 衛, 1936-シリーズ名: 超LSI入門シリーズ ; バイポーラトランジスタの動作理論 - 倉田衛 1: 出版地(国名コード) JP: 出版地: 東京: 出版社: 近代科学社: 出版年月日等: 1980.

12 形態: 5, 228p ; 21cm 著者名:. バイポーラトランジスタの動作理論 種類: 図書 責任表示: 倉田衛著 出版情報: 東京 : 近代科学社, 1980. 9: 大きさ、容量等: 202p ; 22cm: 注記 参考文献: p195~196 価格: 2500円. 9 形態: ix, 202p ; 22cm 著者名: 倉田, 衛(1936-) シリーズ名: 超LSI入門シリーズ ; 1 ISBN:書誌ID: BNフォーマット: 図書. バイポーラトランジスタの動作モデルの再考察 高田 育紀 電気学会研究会資料. 8 図書 バイポーラトランジスタの動作理論. バイポーラトランジスタの動作理論 フォーマット: 図書 責任表示: 倉田衛著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 近代科学社, 1980.

・ バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタの動作理論 - 倉田衛 ・ pn接合の電位分布の解析と空乏層容量、拡散容量 ・ バイポーラトランジスタの構造と動作原理、電流電圧特 性 8 6 後期中間試験 ・ 前期定期試験以降の学習内容 2 ・ 接合形FETの原理と動作特性. ユーザーレビュー|バイポーラトランジスタの動作理論 超LSI入門シリーズ|書籍, 本情報|建築・理工|HMV&BOOKS online Pontaポイント使えます!. ダイオード; トランジスタ回路: 分類・件名: ndc8 : 549. タイトル 著作者等 出版元 刊行年月; バイポーラトランジスタの動作理論: 倉田衛 著: 近代科学社: 1980. Bib: BNISBN:.

倉田, 衛, 1936- 国立国会図書館のサービス Online Services at the NDL 以下のリンクボタンから国立国会図書館サーチで検索ができます。. バイポーラトランジスタの動作理論 資料種別: 図書 責任表示: 倉田衛著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 近代科学社, 1980. 9 形態: ix, 202p ; 22cm シリーズ名: 超LSI入門シリーズ / 武石喜幸, 原央監修 ; 1 著者名: 倉田, 衛(1936-) ISBN:書誌ID: BN00783683. 3 ndlsh : トランジスタ回路 ndlsh : ダイオード: 注記: 参考文献: p213-218: タイトルのヨミ、その他のヨミ: spice ト デバイス モデル : ic セッケイシャ ニ ヒッス ノ バイポーラ トランジスタ ノ キソ チシキ. 4 形態: 156p ; 19cm 著者名: 庄野, 克房(1934-) シリーズ名: エレクトロニクス文庫 書誌id: bnisbn.

トランジスタ: 登録日:: タイトルのヨミ、その他のヨミ: コベツ ソシ データブック : ショウシンゴウ トランジスタ バイポーラ トランジスタ セイリュウキ ヘン: 分類・件名: ndc : 549. Amazonで倉田衛のバイポーラトランジスタの動作理論 (超LSI入門シリーズ)。アマゾンならポイント還元本が多数。倉田衛作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。. 9 形態: ix, 202p ; 22cm 著者名: 倉田, 衛(1936-) シリーズ名: 超LSI入門シリーズ ; 1 書誌ID: BNISBN:. 5 形態: 191p ; 22cm ISBN:シリーズ名: 実務書シリーズ ; 3 著者名: 久保, 大次郎(1938.

トランジスタダイオードの使い方 : 素子の動作と回路設計のかんどころ フォーマット: 図書 責任表示: 久保大次郎著 出版情報: 東京 : CQ出版, 1973. SPC, 半導体電力変換研究会, 63-68,. デバイスモデル ダイオードのモデル、バイポーラトランジスタのモデル: 講義はパワーポイントを使い、シミュレーションでデモを行う。 授業の復習 【2】 MOSFETのモデル 大信号モデル、小信号モデル: 同上: 同上 【3】. 倉田, 衛(1936-). 9 Description: ix, 202p ; 22cm Series: 超LSI入門シリーズ / 武石喜幸, 原央監修 ; 1 Authors: 倉田, 衛(1936-) ISBN:NCID: BN00783683. バイポーラトランジスタの動作理論 / 倉田衛著 Format: Book Published: 東京 : 近代科学社, 1980.

9 Description: ix, 202p ; 22cm Authors: 倉田, 衛(1936-) Series: 超LSI入門シリーズ ; 1 Catalog. 超lsi入門シリーズは「mos集積回路の基礎 」「mosトランジスタの動作理論」「バイポーラ集積回路」も一通り読んだが良いと思う。 PC98のImPPボードが話題になっているころに「アナログVLSIと神経システム」(ミード)をやはり大宮の書店で見つけて購入した。. バイポ-ラトランジスタの動作理論 - 倉田衛 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が.

バイポーラトランジスタの動作理論 Format: Book Responsibility: 倉田衛著 Language: Japanese Published: 東京 : 近代科学社, 1980. スイッチトランジスタの解析 フォーマット: 図書 責任表示: ル・カン等著 ; 喜田村善一, 寺田浩詔共訳 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1964. バイポーラトランジスタの動作理論 責任表示: 倉田衛著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 近代科学社, 1980. バイポーラトランジスタの動作理論 / 倉田衛著 資料種別: 図書 出版情報: 東京 : 近代科学社, 1980. 超LSI入門シリーズ 1 バイポーラトランジスタの動作理論/倉田 衛(技術・工学・農学)の最新情報・紙の本の購入はhontoで。あらすじ、レビュー(感想)、書評、発売日情報など充実。書店で使えるhontoポイントも貯まる。. バイポーラ・トランジスタと集積回路の基礎 フォーマット: 図書 責任表示: 庄野克房著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : オーム社, 1979. バイポーラトランジスタやMOSトランジスタなどの能動3端子デバイスを構成する半導体の 物性を基礎にして、それらの構造や電気的な静特性・動特性、その回路モデルや動作限界などを明 らかにするとともに、集積回路などに応用された場合の各種基本回路. 6 ndlsh : トランジスタ ndlsh : mosトランジスタ bsh : 電気工学 bsh : 電子工学: 注記: 参考文献: p164-168 索引: p169-173: タイトルのヨミ、その他のヨミ:.

3 ndlsh : トランジスタ回路 ndlsh : ダイオード: タイトルのヨミ、その他のヨミ: spice ト デバイス モデル : ic セッケイシャ ニ ヒッス ノ バイポーラ トランジスタ ノ キソ チシキ. ナノスケールトランジスタの物理: 主題: mosトランジスタ; トランジスタ: 分類・件名: ndc9 : 549. メタリックp形ベース・ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究 / 小長井誠. バイポーラトランジスタの動作理論 倉田衛著 (超LSI入門シリーズ / 武石喜幸, 原央監修, 1) 近代科学社, 1980.

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